D’après pv magazine international.
Le fabricant allemand de plaquettes de silicium NexWafe GmbH a annoncé qu’il avait obtenu un rendement de conversion d’énergie de 24,4 % pour une cellule solaire à hétérojonction (HJT) fabriquée avec ses plaquettes de silicium ultrafines.
L’entreprise a indiqué que ce rendement avait été obtenu avec une ligne de production commerciale M6 HJT non spécifiée, et n’a pas précisé si les résultats avaient été certifiés par une tierce partie indépendante.
« Ce résultat corrobore le fait que le procédé de NexWafe, qui consiste en une injection directe de gaz dans la plaquette, peut remplacer totalement les plaquettes conventionnelles de Czochralski (CZ), tout en offrant la possibilité de réaliser d’importantes économies en réduisant les pertes de matériaux et la consommation d’énergie de 40 %, et en éliminant l’étape de gravure à la scie dans la production de cellules », a indiqué l’entreprise. « La teneur en oxygène des plaquettes EpiNex est également 20 fois inférieure à celle des plaquettes CZ conventionnelles, ce qui favorise la stabilité thermique et contribue à l’amélioration de la qualité des cellules. »
Par ailleurs, l’entreprise a annoncé qu’une cellule solaire tandem pérovskite-silicium, développée en partenariat avec le Centre suisse d’électronique et de microtechnique (CSEM), a atteint un rendement de conversion d’énergie de 28,9 %.
Selon la société, sa technologie EpiWafers pourrait aider les producteurs de modules à atteindre des niveaux d’efficacité nettement plus élevés, sans avoir à moderniser leurs lignes de production. Elle affirme également que sa technologie peut permettre la production de plaquettes ultra-minces. Elle en a déjà fait la démonstration sur sa ligne pilote de Fribourg, en Allemagne.
NexWafe développe et produit des plaquettes de silicium monocristallin cultivées directement à partir de matières premières peu coûteuses. Le processus de fabrication continue et directe du gaz à la plaquette évite les étapes intermédiaires coûteuses et énergivores telles que la production de polysilicium et l’extraction des lingots, sur lesquelles repose la fabrication traditionnelle des plaquettes. Le processus minimise également les pertes, réduisant ainsi les coûts de production des plaquettes jusqu’à 30 %. Selon l’entreprise, il permet également de réduire de 70 % les émissions de dioxyde de carbone pendant la fabrication.
NexWafe prévoit de mettre en service son installation d’épitaxie à Bitterfeld, dans le district d’Anhalt-Bitterfeld, en Saxe-Anhalt, en Allemagne, d’ici juin 2025.
« Ce système innovant utilise des systèmes de chauffage avancés et un dépôt chimique en phase vapeur à pression atmosphérique pour déposer du silicium monocristallin sur une surface de 1,3 m x 50 cm, ce qui équivaut à plus de quatorze plaquettes G12 en un seul passage », explique l’entreprise. « Avec des taux de dépôt éprouvés de 5 microns par minute et une uniformité de température permettant d’atteindre une variation totale d’épaisseur (TTV) inférieure à 40 %, cette plateforme représente un saut significatif dans l’évolutivité de la fabrication. »
Traduit par Marie Beyer.
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